10.3969/j.issn.1003-0107.2019.03.017
MOS场效应管静电击穿原因及检测方法
文章主要介绍MOS场效应管容易受到静电击穿损坏的原因,并从实际应用的角度,给出简单测量场效应管的方法,为维修和应用方面提供一定的参考价值.
MOS管、静电、击穿、检测
TN386.1(半导体技术)
2019-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
65-68
10.3969/j.issn.1003-0107.2019.03.017
MOS管、静电、击穿、检测
TN386.1(半导体技术)
2019-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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