10.3969/j.issn.1003-0107.2018.05.015
发射区及基区工艺对晶体管大电流特性的影响
根据大电流特性影响的理论知识,结合该公司的实际情况,对发射区、基区工艺进行试验分析,结果表明基区浓度、发射区浓度对晶体管的大电流特性影响比较大.
晶体管、大电流特性、电流放大系数
TN322(半导体技术)
2018-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
50-53
10.3969/j.issn.1003-0107.2018.05.015
晶体管、大电流特性、电流放大系数
TN322(半导体技术)
2018-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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