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10.3969/j.issn.1003-0107.2018.04.005

光敏电阻、光敏二极管各种特性测量实验的设计

引用
通过实验,得到了发光二极管的各种特性及电光驱动特性,一些复合半导体材料(如GaAs等)形成的PN结正向偏置时,空穴与电子在PN结复合产生特定波长的光,其发光波长与相应半导体材料的能级间隙Eg有关.利用具有光电导效应的材料(如硅、锗等本证半导体与如硫化镉、硒化镉、氧化铅等杂质半导体)可以制成电导随入射光度量变化的器件,叫做光电探测器,即光敏电阻.

发光二极管、光敏电阻、光敏二极管、通过实验、光照特性

TM935.1

2018-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1003-0107

44-1038/TN

2018,(4)

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