集成电路无损缺陷分析方法探讨
集成电路失效/缺陷分析是可靠性分析的重要手段,目前的分析技术不能满足亚微米级集成电路无损分析需求.该文提出一种解决方案,利用弱磁探测技术无损绘制内部3维线路图和电流密度分布图,从而判断制作工艺是否存在缺陷,或者集成电路是否失效.被检测后的集成电路可以继续使用,这对于超高可靠性要求的使用场合尤为重要.文中还叙述了系统的工作原理,主要部分的结构及电路原理.
集成电路、弱磁探测、无损分析、缺陷、失效
TN407;O441.5(微电子学、集成电路（IC）)
2017-07-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
99-102
