SiC单晶生长炉的压力控制系统设计
该文通过对SiC单晶生长工艺和设备的研究,重点分析研究了压力对SiC单晶生长的影响,并给出了压力可靠运行参数和方案,满足SiC单晶生长工艺的稳定和实验重复性的要求.
SiC、PVT、晶体生长、压力控制
O782(晶体生长)
2017-07-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
51-54
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SiC、PVT、晶体生长、压力控制
O782(晶体生长)
2017-07-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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