10.3969/j.issn.1003-0107.2014.11.005
一种GaAs PHEMT器件的失效分析
随着GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)器件的广泛应用,器件的可靠性及失效分析方法越来越受到人们的重视。该文采用半导体参数分析仪、聚焦离子束(FIB)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDX)等分析方法对一种PHEMT器件进行失效分析,为实际生产和加工过程中的失效分析提供了参考。
GaAs、PHEMT、失效分析
TN3(半导体技术)
2014-12-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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