10.3969/j.issn.1003-0107.2013.06.005
IC外延电阻相似失效案例的比较与分析
该文通过分析外延层外延电阻率变化,场注入偏浓和埋层上浮三个IC制品生产线最常见的典型案例,比较明确三者之间的异同,了解和认识PCM相关参数的变化情况.同时也记录不同失效类型,并予以归类.
外延电阻、埋层上浮、场注入
TN407(微电子学、集成电路（IC）)
2013-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
17-24
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10.3969/j.issn.1003-0107.2013.06.005
外延电阻、埋层上浮、场注入
TN407(微电子学、集成电路（IC）)
2013-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
17-24
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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