10.3969/j.issn.1003-0107.2013.04.007
VDMOS参数一种新失效模式的调查与分析
该文通过详细记录一种新的VDMOS失效模式,按调查过程,层层抽丝剥茧,从JEFT注入到N阱形成,通过对比几个相近失效模式,最后找出造成失效的真正原因,并对失效模式进行分析.
JEFT注入、N阱、P阱、输出曲线、打胶
TN386(半导体技术)
2013-05-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
34-40
10.3969/j.issn.1003-0107.2013.04.007
JEFT注入、N阱、P阱、输出曲线、打胶
TN386(半导体技术)
2013-05-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
34-40
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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