10.3969/j.issn.1003-0107.2012.01.012
3．1～10．6GHz超宽带低噪声放大器的设计
基于SIMC0．18μmRFCMOS工艺技术，设计了可用于3．1—10．6GHzMB—OFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器（LNA）。该LNA采用三级结构：第一级是共栅放大器，主要用来进行输入端的匹配；第二级是共源共栅放大器，用来在低频段提供较高的增益；第三级依然为共源共栅结构，用来在高频段提供较高的增益，从而补偿整个频带的增益使得增益平坦度更好。仿真结果表明：在电源电压为1．8v的条件下，所设计的LNA在3．1～10．6GHz的频带范围内增益（521）为20dB左右，具有很好的增益平坦性f±0．4dB），回波损耗S11、S22均小于-10dB，噪声系数为4．5dB左右，IIP3为-5dBm，PIdB为0dBm。
超宽带、低噪声放大器、CMOS
TN773(基本电子电路)
2012-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
34-37
