10.3969/j.issn.1003-0107.2012.01.003
施主受主共掺实现N型ZnS的第一性原理研究
基于密度泛函理论的第一性原理，利用施主受主共掺方案研究了低阻N型ZnS，通过计算得到2Al，帆的共掺形成能为-0．73eV，离化能为73meV，远小于单掺Al的情况。态密度分析表明，2Alzn-Ns共掺后导带向低能方向移动并出现峰值，价带性质几乎不变，导带底的峰值主要由N-3s和Al-3s态贡献。因此，2Ak-Ns共掺可得到低阻N型ZnS。
ZnS、第一性原理、共掺、低阻N型半导体
TN304.25(半导体技术)
2012-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
8-10
