10.3969/j.issn.1003-0107.2011.12.002
栅隧穿电流分量研究
MOS器件尺寸缩减,导致栅氧化层厚度急剧减小,引起栅隧穿电流的迅速增大,对MOS器件特性产生了很大影响。该文基于此,重点分析和研究了栅隧穿电流分量及其特性,并针对四端MOS器件给出了相应的栅隧穿电流分量测试原理及构思。
MOS器件、栅氧化层、隧穿
TN386(半导体技术)
2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
5-6,10
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10.3969/j.issn.1003-0107.2011.12.002
MOS器件、栅氧化层、隧穿
TN386(半导体技术)
2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
5-6,10
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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