10.3969/j.issn.1003-0107.2011.01.015
表面响应法在埋置型大功率多芯片微波组件热布局中的应用研究
该文将有艰元模拟与基于统计试验的表面响应法(RSM)相结合,应用于特定需求的埋置型大功率多芯片微波组件热布局分析中,先通过ANSYS温度场分析,得出大功率芯片布局是影响整体温度和芯片结温的关键因素,再对一含有四个大功率芯片的微波组件模块进行了表面响应分析,得到了关于芯片坐标的线性回归方程,利用该方程可预测坐标组合下芯片的结温和进行芯片坐标的寻优.同时,评价了RSM响应模型的精度,采用有限元仿真验证表明:线性回归方程的预测值与仿真值误差仅为0.0623℃,研究成果对埋置型大功率多芯片微波组件热设计具有指导意义.
热分析、微渡組件、回归方程、表面响应法、热布局
TN45(微电子学、集成电路（IC）)
广西研究生教育创新计划资助项目:三维微波多芯片组件的热-电磁特性分析2010105950802M06
2011-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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