10.3969/j.issn.1003-0107.2011.01.014
0.9V2.4GHz CMOS低噪声放大器设计
使用TSMC0.18μm RF CMOS工艺,设计一个低电压折叠式共源共栅结构低噪声放大器(LNA).利用性能系数FoM(Figure of Merit)衡量其整体性能,并通过仿真找到使FoM最大的偏置电压.使用Cadence SpectreRF仿真表明,在0.9V电源下,2.4GHz处的反射系数良好.噪声系数NF仅为0.82dB,正向增益S21为18.84dB,三阶互调点IIP3为-10.3dBm,功耗仅为5.12mW,表该文方法可以为窄带LNA设计提供指导.
低噪声放大器、低电压、折叠式共源共栅、性能系数、噪声、增益
TN722.3(基本电子电路)
重庆市教委科学技术研究项目KJ100512;重庆市自然科学基金项目CSTC 2010BB2412
2011-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
37-39,46
