10.3969/j.issn.1003-0107.2010.07.009
运算放大器在高ESD应力作用下的失效模式和失效位置研究
本研究以常用的运算放大器之一LM741为例进行了高ESD应力条件下的运算放大器的失效研究,研究通过物理观察和电学测试的手段考察了LM741失效位置及失效模式ESD击打打模式之间的关系.研究表明,不同的应力击打模式均造成几种相同的失效位置和模式,而且对失效部位的物殚观察发现:所造成芯片上的失效并非在芯片上的电路的单元内部.而在于电路的各个单元之间的绝缘层或者是连接电路单元的金属连线,这一发现为下一步ESD的失效建模和仿真提供了重要的试验依据.
ESD损伤、ESD击打模式、失效位置、电学失效模式
TB24(工程设计与测绘)
2010-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
23-26,36
