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10.3969/j.issn.1003-0107.2009.09.009

半导体C-V测量基础

引用
@@ 通用测试 电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是M0sCAP和MOSFET结构.此外,利用C-V测昔还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型品体管(BJT)、JFET、Ⅲ-Ⅳ族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件.

半导体器件、测量、基础、光电二极管、半导体参数、MOSFET结构、Ⅳ族化合物、特征分析、碳纳米管、光伏电池、测试、MEMS器件、显示器、其他类、体管、双极、工艺、电压、电容、JFET

O43;TN4

2009-11-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1003-0107

44-1038/TN

2009,(9)

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