10.3969/j.issn.1003-0107.2009.06.029
TFT_LCD驱动芯片GATE/SOURCE静电保护电路设计与实现
文章描述了TFT_LCD驱动芯片防静电(ESD)保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片GATE和SOURCE引脚的ESD保护电路.ESD保护电路布局上,采用两排ESD电路错开呈"品字形"排列,使ESD电流均匀流通.在GATE保护电路中,采用二极管接法代替通用PMOS,防止电路产生Latch-up效应.SOURCE的保护电路中,NMOS的Drain设计了RPO(Resist Protection Oxide),使流经Drain的电流均匀分散,使二次击穿电压升高.
TFT_LCD驱动芯片、ESD保护、击穿电压
TN303(半导体技术)
2009-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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