10.3969/j.issn.1003-0107.2009.06.013
基于MEDICI的CMOS反相器SEL特性分析
文章利用计算机模拟的方法分析了不同衬底CMOS反相器的单粒子闩锁(SEL)特性,分别对不同衬底CMOS反相器在电极分布和输出不同的情况下进行了研究,首先在不同电极分布时,通过电闩锁对器件进行模拟,得出不同电极分布时器件的维持电压,然后进行SEL模拟,根据模拟结果,我们发现在维持电压最小的电极分布情况下,粒子入射到阱-衬底结时,输出低电平时,器件产生闩锁后N衬底器件比P衬底器件闩锁电流大,输出高电平时,器件产生闩锁后P衬底器件比N衬底器件的闩锁电流大.通过对不同衬底器件SEL阈值的测试,我们得到N衬底器件比P衬底器件对SEL敏感,器件输出高电平时比输出低电平对SEL略敏感.
单粒子闩锁、线能量传输、闩锁效应
TN303(半导体技术)
2009-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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