10.3969/j.issn.1003-0107.2009.02.015
半导体发光器件的可靠性预计模型
文中介绍了一种基于概率方法的半导体发光器件町靠性预计模型.在初始光发射性能给定而退化特性通过试验确定的前提下,使用该模型呵得到器件的可靠度函数关系,且理论预汁结果与试验结果一致性良好.(对初始光发射性能和退化特性建模的研究仍在进行中,在本文中不涉及.而本模型最终将包括上述两部分的建模,以得到完整的可靠性预汁解析结果.)对于半导体发光器件,本研究作为基于失效物理的一套完整的可靠性预计方法研究巾的重要一步,提供了一种町行的方法,并且证明在器件性能基本参数基础上确定可靠度函数关系的途径具有可行性.
加速寿命试验、置信水平、发光二极管(LED)、对数正态分布、可靠性、半导体发光器件
TN383(半导体技术)
2009-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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