10.3969/j.issn.1003-0107.2007.11.008
双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应
在辐射的剂量率范围内,无论是国产还是进1:21的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且纵向NPN管比PNP管严重.本文对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨,并讨论了双极器件的抗辐射加固技术.
低剂量率、电离辐射、双极晶体管、抗辐射加固
TN321(半导体技术)
2008-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
25-28
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10.3969/j.issn.1003-0107.2007.11.008
低剂量率、电离辐射、双极晶体管、抗辐射加固
TN321(半导体技术)
2008-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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