10.3969/j.issn.1003-0107.2007.10.016
Φ6.5mm×8.9mm半导体锗单晶圆片电阻率的测定
利用四探针技术对Φ6.5mm×8.9mm的半导体锗单晶圆片的电阻率进行测定,并采用了A、B、C等三种选点方案,结果表明:方案B用少量的测试点就能测定和计算出锗单晶的电阻率和不均匀性,它不仅反映出材料的真实性和保证其可靠性,而且简化了试验程序.
锗单晶圆片、四探针法、电阻率、不均匀性
TM304.1(电机)
2008-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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