10.3969/j.issn.1003-0107.2007.04.001
五氧化二钽高K薄膜作为MOSFET绝缘栅研究
本文综述了MOSFET栅介质的最新研究状况.介绍了Ta2O5高K薄膜材料作为MOSFET栅氧化物在现阶段主要的制备技术和进展.电学性能是今后研究应关注的主要方面.最后展望了其在MOSFET绝缘栅的研究前景.
微电子技术、MOSFET栅介质、五氧化二钽、高K、电学特性
TN401(微电子学、集成电路（IC）)
2007-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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