10.3969/j.issn.1003-0107.2005.12.017
超深亚微米器件的失效机理及其可靠性研究
集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次.小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多寄生效应、小尺寸效应严重地影响着器件的性能、电路的寿命.本文论述了基于超深亚微米层次小尺寸效应的诱因分析及器件,重点剖析了陷阱效应、短沟效应、热载流子效应和栅氧击穿对器件可靠性的影响.在此基础上,提出了抑制小尺寸效应、提高器件失效阈值、保障器件可靠性的若干工艺措施.
超大规模集成电路、特征尺寸、超深亚微米、小尺寸效应、失效、可靠性
TN306(半导体技术)
2006-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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