10.3969/j.issn.1003-0107.2004.09.026
Power MOSFET栅电荷分析及结构改进
本文从驱动电路设计者的角度对MOS器件的输入电容和密勒电容进行了详细分析,并从器件基本原理上,对决定栅电荷的寄生元件在不同的栅电压下对栅电荷的作用进行了系统的阐述.最后总结了当前国际上为降低栅电荷提出的最新MOS器件结构.
栅电荷、输入电容、密勒电容、分析、改进
TM653(发电、发电厂)
2005-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
59-61,80
