10.3969/j.issn.1004-4507.2022.03.002
第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势
第三代半导体材料SiC具备熔点高、硬度大、稳定性好等特点,其制备工艺需要开发一些独特的工艺装备,主要涉及SiC单晶生长、衬底制备、外延生长和离子注入机及高温氧化炉等芯片制程关键装备.根据SiC技术及产业的发展特点,分析了当前SiC工艺设备特点及应用现状,展望了设备的未来发展趋势.
碳化硅、单晶生长、外延、芯片制程
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TN305(半导体技术)
2022-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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