10.3969/j.issn.1004-4507.2021.03.001
AlN单晶衬底的制备及研究进展
氮化铝(AlN)作为直接带隙半导体且禁带宽度为6.2 eV,使其在深紫外光电子器件(如半导体激光器、日盲光探测器等)、高频大功率射频器件等领域具有广泛的应用前景,而高性能器件的实现需要高质量AlN衬底作为基础.对AlN材料的基本性质进行了阐述,着重对AlN单晶衬底的制备方法进行了介绍:物理气相传输法(PVT)、氢化物气相外延法(HVPE)和基本元素气相沉积法(EVPE),并对AlN材料在光学、电学、化学、磁学领域的应用进行了展望.
氮化铝(AlN)、物理气相传输法(PVT)、氢化物气相外延法(HVPE)、基本元素气相沉积法(EVPE)
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TN304.05(半导体技术)
2021-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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