10.3969/j.issn.1004-4507.2021.02.011
一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法
为了查找影响MEMS(微机电系统)器件缺陷的关键因素,通过模拟键合硅片的加工工艺开展了实验,探索出一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法.结果表明这种检验方法可以提前判断硅单晶是否可用于MEMS体硅工艺,对工业化生产具有很好的指导借鉴作用.
微机电系统、单晶缺陷、检验方法
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TN307(半导体技术)
2021-05-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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