10.3969/j.issn.1004-4507.2021.01.001
接触/接近式光刻UV-LED光源测试分析与工艺研究
通过对比混波UV-LED(Ultraviolet Light Emitting Diode)光源和单波UV-LED光源的性能和工艺实验,优化了混波UV-LED光源光刻工艺.光源性能主要对比了两种光源最大光照强度和光强均匀度,工艺实验选用不同光照强度15 mW/cm2、20 mW/cm2,不同曝光时间3 s和5 s,样片显影后通过光学显微镜观察样片线条形貌.结果表明:混波UV-LED光源相比单波UV-LED光源最大光照强度下降,从47.2 mW/cm2降至32.8 mW/cm2,光强均匀度从97％降至95％.混波UV-LED光源真空复印模式下最优曝光工艺为光强20 mW/cm2,曝光时间3 s.
光刻机、UV-LED光源、光刻工艺
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TN305.7(半导体技术)
2021-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1-4,33
