10.3969/j.issn.1004-4507.2020.05.006
APCVD制备SiOx薄膜工艺研究
简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺.通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究.发现随着硅烷流量或浓度的增加,薄膜厚度增加;SiOx的膜厚与化学输入不成正比;最大沉积厚度的O2:SiH4比与硅烷流量无关;薄膜厚度随带速的增加而减小,薄膜厚度与带速并不成正比,相同工艺温度和硅烷输入下薄膜厚度与带速的乘积是一个常数.
常压化学气相沉积、硅烷、膜厚、流量、沉积温度
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TN305(半导体技术)
2020-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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