10.3969/j.issn.1004-4507.2020.03.001
太阳能电池用原子层沉积超薄氧化硅技术研究
从高效太阳能电池结构要求出发,分析了超薄氧化层的作用,在自研设备的基础上,采用强氧化性的O2等离子体与硅前驱体进行了PEALD沉积研究.在源瓶温度80℃、沉积温度200℃的工艺条件下,薄膜单循环沉积速率达到0.12 nm.对沉积的氧化硅进行致密性HF腐蚀测试,腐蚀速率为4.8 nm/min.薄膜致密性已接近热氧化法制备的氧化硅薄膜.
太阳能电池、原子层沉积、超薄薄膜、氧化硅
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TN304.055(半导体技术)
2020-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1-4,12
