10.3969/j.issn.1004-4507.2020.01.010
200mm硅单晶多线切割工艺及损伤层研究
研究了不同切割工艺对多线切割200 mm(8英寸)硅单晶几何参数的影响,并通过碱腐蚀对200 mm硅切片损伤层进行了分析.结果 表明:切割过程中硅片的温度变化及切割线横向振动对几何参数影响较大,480~260 μm/min变速切割200 mm硅片几何参数明显要优于530~400μm/min变速切割工艺;480~260 μm/min变速切割200 mm硅片WARP能达到14.8 μm,BOW能达到4.2μm,TTV能达到10.1 μm,且具有更小的均方差值;多线切割200 mm硅片损伤层只有一个区域,经腐蚀观察可确定单面损伤层厚度在9 μm左右.
硅单晶、几何参数、损伤层、多线切割
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TN305.1(半导体技术)
2020-06-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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