多栅FinFET性能研究及参数优化
利用TCAD软件搭建高效的双栅及三栅FinFET模型,研究影响多栅器件性能的相关参数.结果 显示,随着栅极有效控制面积的增加,器件栅控能力得到明显增强.当三栅FinFET栅长缩减至10 nm,鱼鳍高度及鱼鳍宽度分别取Fh=40 nm,Fw=5nm时,器件亚阈值参数基本达到理想值:亚阈值斜率(SS)为66.35 mY/dec,漏端致势垒降低效应(DIBL)为24 mV且由鱼鳍形状引入的拐角效应也得到一定程度上的缓解.最后,以高介电常数(高k)材料HfO2替代传统低介电常数材料SiO2作为三维小尺寸器件的栅氧化层介质,发现HfO2的引入可进一步优化三栅FinFET(Lg=10 nm,Fh=40 nm,Fw=5 nm)亚阈值区域性能:SS下降至61.76 mV/dec,DIBL下降至6.47 mV.
多栅器件、三栅FinFET、高k栅介质、短沟道效应
48
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2019-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
61-67
