10.3969/j.issn.1004-4507.2019.03.001
籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究
采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶.研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺陷采用莱卡体系显微镜进行表征,晶体结晶质量采用高分辨XRD进行表征,晶体电学性能采用非接触电阻率测试仪进行表征.实验结果表明:4°籽晶生长的晶体缺陷最少,1°与4°籽晶生长的晶体结晶质量相当,0°籽晶生长的晶体电学性能最均匀.
高纯4H-SiC、籽晶、晶片缺陷、结晶质量、电学性能
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TN304.07(半导体技术)
国际科技合作项目2013DFR10020;山西省自然科学基金2012011020-2;中国电子科技集团公司技术创新基金5511234;山西省科技重大专项20181101007
2019-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
1-3,16
