10.3969/j.issn.1004-4507.2019.01.009
提高MEMS用超薄硅片厚度测量质量的研究
从常用MEMS器件用硅片对厚度测试要求的角度出发, 分析了厚度测试设备-晶片厚度测试系统在测试MEMS用超薄高精度硅片时引发测量不确定度的主要来源, 并对各来源引起的不确定度分量大小进行了计算.结果表明, 测试用的校准厚度样片是影响整个测试系统不确定度的主要因素.重点研究了校准样片的几何参数 (主要指局部厚度变化DLTV) 与其本身不确定度的关系.研究发现, 降低校准样片的DLTV值能够有效降低其不确定度大小, 当DLTV值为0.46μm时, 校准样片的扩展不确定度值为0.3μm, 整个测试系统的扩展不确定度值为0.5μm, 能够较好地提升测试质量、保证硅片初始厚度的一致性.
校准样片、厚度、不确定度、局部厚度变化
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TN307(半导体技术)
2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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