10.3969/j.issn.1004-4507.2019.01.007
亚微米光栅曝光系统的应用及设备关键技术研究
半导体工艺中的光刻是芯片制造中最关键的工艺.DFB半导体激光器的腔体结构与普通半导体激光器的腔体结构不同, 需要制作周期光栅, 光栅周期为亚微米数量级;鉴于亚微米光栅曝光系统在半导体激光器的应用需求, 瑞士一家公司研制了一款专用于亚微米周期光栅的设备Phabler 100M DUV光刻机;本系统采用了非线性晶体的倍频效应和周期性光栅的泰伯效应.这些关键技术用较低的成本实现了极高的分辨率, 可以制作周期性光栅并达到100 nm的线条分辨率;掩模版和晶片的不平行将造成光刻线条的不均匀, 应用CCD探测器和计算机相结合的办法是做平行度的关键调试.
光刻机、亚微米光栅、DFB激光器、非线性晶体、泰伯效应、调平
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TN305.7(半导体技术)
2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
33-36,59
