10.3969/j.issn.1004-4507.2018.06.003
逐层刻蚀工艺在半导体器件制造中的应用
在常规的等离子体刻蚀基础上,介绍了一种基于循环方式的逐层刻蚀方法及进一步改善的方案,可以有效解决常规等离子体刻蚀的深宽比相关效应,提高刻蚀选择比,降低刻蚀粗糙度和损伤.
等离子体刻蚀、逐层刻蚀、刻蚀损伤
TN305.7(半导体技术)
2019-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共2页
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10.3969/j.issn.1004-4507.2018.06.003
等离子体刻蚀、逐层刻蚀、刻蚀损伤
TN305.7(半导体技术)
2019-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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