10.3969/j.issn.1004-4507.2018.04.008
AlGaN/GaN HEMT材料的高温MOCVD生长研究
高电子迁移率AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制一直是GaN基射频微波器件的重要发展方向.采用自主研制的生产型高温MOCVD设备进行AlGaN/GaN HEMT结构材料的生长,通过高温MOCVD外延生长技术改善了AlGaN势垒层、AlN插入层的晶体质量和表面质量,从而获得了较高二维电子气迁移率的AlGaN/GaN HEMT结构材料.高分辨X射线衍射仪的分析表明,AlGaN外延层Al组分含量为22.7％,厚度为19.4 nm;Hall效应测试仪的测试表明,HEMT结构材料的室温二维电子迁移率和浓度分别为2 040 cm2/V·s和6.15×1012 cm-2,具有较为优异的二维电子气输运性能.上述研究结果表明:国产高温MOCVD设备可为高电子迁移率AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制提供新的设备平台.
高电子迁移率晶体管、AlGaN、高温金属有机物化学气相沉积、二维电子气迁移率
TN304.055(半导体技术)
2019-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
32-35,69
