10.3969/j.issn.1004-4507.2018.04.007
Si衬底GaN外延生长的应力调控
针对Si衬底GaN外延生长中由于张应力引起的表面裂纹问题,采用AlN/Al GaN多缓冲层结构和低温AlN插入层技术,在标准厚度Si(111)衬底上制备了100 mm(4英寸)无裂纹GaN外延材料.试验结果表明,AlN/Al GaN各层厚度的合理搭配和低温AlN插入层可以起到良好的应力调控效果,无裂纹GaN层生长厚度达到1.6μm,晶体质量良好,表面粗糙度低于2 nm;HEMT结构外延片电学性能测试结果表明Si衬底GaN的生长质量满足制备器件的要求.
Si衬底GaN、外延生长、金属有机物化学气相沉积、应力调控
TN304.054(半导体技术)
2019-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
27-31,41
