10.3969/j.issn.1004-4507.2018.04.004
MEMS中硅各向异性腐蚀特性研究
在碱性溶液中硅单晶片因晶向不同其刻蚀速率出现差异,利用这一特点制作三维结构器件;刻蚀速率与三维结构的形状和精度相关,刻蚀的表面粗糙度与器件的性能有关;根据各向异性腐蚀机理可知,刻蚀速率强烈依赖单晶晶向,刻蚀温度和刻蚀液的组分也会对刻蚀速率产生显著影响;表面粗糙度主要是因为刻蚀时表面被反应生成的氢气泡覆盖,局部区域不能参加化学反应,导致这一区域出现凸起;在刻蚀液中加入添加剂使气泡迅速脱离反应表面能有效降低表面粗糙度,但刻蚀液不同所适用的添加剂不同.
各向异性腐蚀、微电子机械系统(MEMS)、刻蚀速率、表面粗糙度、添加剂
TN305.2(半导体技术)
2019-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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