10.3969/j.issn.1004-4507.2018.03.009
SiC单晶片的激光标识技术研究
研究了激光的功率、标刻速度、频率等对打标深度的影响,通过多组实验,观察不同参数下,打标效果的变化.确定了激光功率为50％,标刻速度为100 m m/s,频率为20 kH z,脉冲宽度为10μs的工艺参数,有效地改善了碳化硅晶片的标记效果,优化后的激光打标工艺更好地应用于SiC晶片生产加工中.
碳化硅单晶、激光加工、激光标识
TN948.43
2018-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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