10.3969/j.issn.1004-4507.2018.03.003
区熔硅单晶生长过程建模综述
针对区熔法高阻硅单晶的生长过程描述和基本特征,以晶体生长基本原理为基础,从生长机理与模型建立热传导模型(晶体内的热量传输模型和固液界面处的热量传输模型)、热对流模型(晶体表面与氩气之间的对流传热模型和熔体内的对流传热模型)热辐射模型等方面进行了阐述,并针对高品质区熔硅单晶生长提出了相应的研究思路和方法.
区熔法、硅单晶、过程建模
TN304.053(半导体技术)
2018-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
7-9,31
