10.3969/j.issn.1004-4507.2018.02.009
锗晶片表面清洗研究进展
论述了锗晶片的表面氧化机理及锗晶片表面清洗的不同方法,其中,锗晶片的清洗主要包括干法清洗和湿法清洗两种,不同清洗方法对锗表面的影响采用了XPS,AFM进行了表征.并对未来锗清洗技术的发展进行了展望.
锗晶片、表面清洗、表面氧化层
47
TN305.97(半导体技术)
2018-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
36-39
相关文献
评论
10.3969/j.issn.1004-4507.2018.02.009
锗晶片、表面清洗、表面氧化层
47
TN305.97(半导体技术)
2018-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
36-39
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话：4000115888 举报邮箱：problem@wanfangdata.com.cn
