10.3969/j.issn.1004-4507.2017.05.002
影响SiC外延生长速率的相关因素探讨
研制了水平热壁式外延沉积系统,设计了双加热器温控系统和水平三层流喷淋系统,介绍了温场和流场获得方法.在偏4°的Si面4H-SiC单晶衬底上进行了工艺验证.研究了生长温度、C/Si以及SiH 4流量对SiC外延生长速率的影响,通过主要参数的综合调整,生长出了表面光滑的SiC外延膜.
三层流喷淋头、4H-SiC、C/Si比、生长速率
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TN304.054(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划资助项目2014A A 041401
2017-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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