10.3969/j.issn.1004-4507.2017.01.003
SiC外延炉加热系统的设计
碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件.近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在不断开发并走向成熟.简要介绍了SiC外延生长设备中加热器的设计方法、温度控制以及温度均匀性调节方法,通过实验验证了温度均匀性及控制精度,较好的满足了SiC外延炉对温度稳定性及高精度控制的要求
碳化硅、外延生长、加热器、线圈、温度曲线
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TN305(半导体技术)
国家高新技术发展计划863计划资助项目2014AA041401
2017-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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