10.3969/j.issn.1004-4507.2016.09.004
多线切割工艺对研磨去除量的影响
大直径硅片的研磨去除量成为评价多线切割工艺水平的关键技术指标,也有利于研磨工序单位成本的降低;切片损伤层深度是决定全片研磨去除量的主要因素,而切片几何参数是决定局部研磨去除量的主要因素.通过对多线切割工艺中切片损伤层深度控制以及几何参数的控制,从而降低晶片的研磨去除量.
硅、多线切割、损伤层、总厚度变化、翘曲度
45
TN305(半导体技术)
2016-11-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
15-18