10.3969/j.issn.1004-4507.2016.08.005
几种典型宽禁带半导体材料的制备及发展现状
阐述了SiC、G aN、A lN等几种宽禁带半导体材料的特性、突出优势及其重要应用;并对比分析了目前制备这些半导体材料的主流方法及其各自存在的利与弊;最后讨论了宽禁带半导体材料的发展现状及其存在的挑战.
碳化硅、氮化镓、宽禁带半导体、器件
45
TN304.05(半导体技术)
2017-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
20-23
相关文献
评论
10.3969/j.issn.1004-4507.2016.08.005
碳化硅、氮化镓、宽禁带半导体、器件
45
TN304.05(半导体技术)
2017-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
20-23
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话：4000115888 举报邮箱：problem@wanfangdata.com.cn
