10.3969/j.issn.1004-4507.2016.06.010
层间介质(ILD)CMP 工艺分析
论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO2为例,分析其CMP (化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO2作为层间介质进行CMP的技术要求,工艺流程和设备结构需求。
层间介质、平整度、抛光垫、修整器
TN305(半导体技术)
2016-07-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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