10.3969/j.issn.1004-4507.2016.06.009
生长界面对掺钒SiC 电阻率的影响
碳化硅（SiC）单晶多采用物理气相传输（PVT）法及籽晶顶置工艺生长，典型的生长界面包括略凹、近平微凸、略凸三种生长界面，在100 mm（4英寸）掺钒（V）半绝缘4H-SiC单晶生长过程中，需要研究不同生长界面对SiC单晶电阻率的影响，得到合适的生长界面。在近似的生长条件下，采用略凹、近平微凸、略凸三种生长界面生长出100 mm掺V半绝缘4H-SiC单晶，加工后进行了电阻率测试、应力等测试，结果表明近平微凸生长界面易于调整掺杂浓度，晶体缺陷少，适合生长电阻率均匀的掺V半绝缘4H-SiC单晶，且晶体出片率高。
掺钒半绝缘、4H-SiC、电阻率、应力
O613.7;N33;N34(无机化学)
国家自然科学基金项目号61404117；国家高技术研究发展计划项目号2014AA041401。
2016-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
37-39,69
