10.3969/j.issn.1004-4507.2016.06.001
SiC 晶片加工技术现状与趋势
SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料，在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景，而SiC加工技术对制作衬底材料起到决定作用。介绍了SiC国内外加工技术的研究现状，分析和对比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化趋势，并指出SiC单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势。
SiC晶片、加工技术、平整度、粗糙度
TM23(电工材料)
国家自然科学基金项目61404117；国家高技术研究发展计划863重大专项资助项目2014AA041401；山西省自然科学基金2014011016-8
2016-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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