10.3969/j.issn.1004-4507.2016.01.005
碳化硅粒径分布对单晶硅线切割的影响
利用激光粒度仪和扫描电镜对切割前后碳化硅粒径的变化及切割后硅片的形貌进行表征,研究不同粒度分布的碳化硅磨料对线切割硅片表面损伤的影响.实验结果指出粒度分布不均引起的局部切割堵塞而导致的垂直于切割方向的左右侧滑振动,是导致表面损伤的主要原因,并且当碳化硅的粒度分布窄时,线切割硅片表面损伤层浅、表面粗糙度小.
磨料、碳化硅、粒径分布、线切割
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TN305.1(半导体技术)
2016-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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