应用材料公司的创新硬掩模材料技术解决铜互连图形生成的挑战
全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司,近日推出全新的A pplied E ndura C irrusTM H T X 物理气相沉积(PV D )*系统,采用突破性硬掩模技术,可支持10 nm 及更小的铜互连图形生成.芯片尺寸的不断缩小需要更先进的硬掩模技术,从而保证紧凑、微型互连结构的完整性.随着这一全新技术的推出,应用材料公司成功延续氮化钛(TiN*,半导体行业的首选硬掩膜材料)金属硬掩模,满足未来先进微芯片铜互连图形生成的需求.
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TN3;TP3
2015-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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